特許

J-GLOBAL ID：200903091601815720

半導体装置

発明者： 安藤 裕二 ,  宮本 広信 ,  岡本 康宏 ,  笠原 健資 ,  中山 達峰 ,  葛原 正明
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-175243
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022773
出願日： 2002年06月17日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】ショットキー接合電極の耐熱性を改善し、パワー性能、信頼性に優れたGaN系半導体装置を提供する。【解決手段】AlGaN電子供給層14に接触したショットキー性のゲート電極17を有する半導体装置において、ゲート電極17をNi、Pt、Pdの何れかにより形成された第1金属層171、Mo、Pt、W、Ti、Ta、MoSi、PtSi、WSi、TiSi、TaSi、MoN、WN、TiN、TaNの何れかにより形成された第2金属層172、Au、Cu、Al、Ptの何れかにより形成された第3金属層の積層構造とする。第2金属層の材料は高融点であるため第1金属層金属と第3金属層金属の相互拡散に対するバリヤとして働き、高温動作によるゲート特性劣化が抑制される。AlGaN電子供給層14と接する第1金属層金属は仕事関数が大きいためショットキー障壁が高く良好なショットキー接触が得られる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

GavAl1-v(但し、0≦v≦1)をIII族側元素の主成分としNをV族側元素の主成分とする化合物半導体から構成された半導体層とこの半導体層に接触するショットキー接合電極とを有する半導体装置において、前記ショットキー接合電極は、前記半導体層と接触する側から第1金属層、第2金属層、第3金属層が順次積層された積層構造からなり、前記第1金属層は、Ni、Pt、Pd、NizSi1-z、PtzSi1-z、PdzSi1-z、NizN1-z、PdzN1-z(但し、0<z<1)のいずれかから選択された材料からなり、前記第2金属層は、Mo、Pt、W、Ti、Ta、MoxSi1-x、PtxSi1-x、WxSi1-x、TixSi1-x、TaxSi1-x、MoxN1-x、WxN1-x、TixN1-x、TaxN1-x(但し、0<x<1)のいずれかから選択された材料からなり、前記第3金属層は、Au、Cu、Al、Ptのいずれかから選択された材料からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L29/47 ,  H01L21/338 ,  H01L29/423 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

FI (5件)：

H01L29/48 M ,  H01L29/48 D ,  H01L29/58 Z ,  H01L29/80 H ,  H01L29/80 M

Fターム (40件)：

4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104CC03 ,  4M104FF16 ,  4M104GG12 ,  4M104HH05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GQ02 ,  5F102GR01 ,  5F102GS02 ,  5F102GT01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 電界効果トランジスタとそれを備えた半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-084933   出願人：名古屋工業大学長, 日本酸素株式会社
• ショットキー障壁形成用電極とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-155061   出願人：古河電気工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-248381   出願人：松下電子工業株式会社