特許
J-GLOBAL ID：200903063030371027

多層配線形成法

発明者：
山葉 隆久

山葉 隆久 について

, 
内藤 勝

内藤 勝 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (1件)： 伊沢 敏昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-211326
公開番号（公開出願番号）：特開平10-247686
出願日： 1997年07月22日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：
【要約】【課題】 ストレスマイグレーション耐性が高い多層配線を形成可能とする。【解決手段】 半導体基板30の表面を覆う32,34等の絶縁膜の上にAl合金のスパッタ、リフロー及びパターニングにより配線層36Aを形成した後、層36Aを覆って水素シルセスキオキサン樹脂膜を平坦状に塗布して熱処理することにより酸化シリコン膜38を形成し、更に膜38の上にプラズマCVD法により酸化シリコン膜40を形成する。膜38,40の積層からなる層間絶縁膜に所望の接続孔を形成した後、該接続孔を介して層36Aにつながる配線層46をAl合金のスパッタ、リフロー及びパターニングにより形成する。層36A及び46の間のビアと同様のビアを20000個有するビアチェーンを200°Cに維持して2000時間放置した後、ビアチェーンの抵抗を測定したところ、抵抗上昇が認められなかった。
請求項（抜粋）：
基板を覆う絶縁膜の上に第1の配線層を形成する工程と、前記絶縁膜の上に前記第1の配線層を覆って水素シルセスキオキサン樹脂膜を平坦状に塗布して熱処理することにより第1の酸化シリコン膜を平坦状に形成する工程と、前記第1の酸化シリコン膜の上にプラズマ化学気相堆積法により第2の酸化シリコン膜を形成する工程と、前記第1及び第2の酸化シリコン膜の積層からなる層間絶縁膜に前記第1の配線層に達する接続孔を形成する工程と、前記層間絶縁膜の上に前記接続孔を覆ってスパッタ法によりアルミニウム又はアルミニウム合金を被着してリフローさせた後パターニングすることによりアルミニウム又はアルミニウム合金を含む第2の配線層を前記接続孔を介して前記第1の配線層につながるように形成する工程とを含む多層配線形成法。
FI (2件)：
H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 Q
引用特許：
審査官引用 (4件)
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