半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-397982
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159157
出願日： 2003年11月27日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】高周波モジュール中におけるスイッチング素子として用いられるHEMT素子を小型化する。【解決手段】 GaAsからなる基板1の主面上の素子分離部9で規定された活性領域内において、ゲート電極17は、1本で形成し、ソース電極13とドレイン電極14との間では紙面上下方向に延在し、それ以外の部分では左右方向に延在するようにパターニングすることにより、活性領域外に配置されるゲート電極17の割合を減じ、ゲートパッド17Aの面積を減じる。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

第1チャネル型のHEMTを有し、前記HEMTは、基板の主面上において素子分離領域に取り囲まれた活性領域に形成されたチャネル層と、前記チャネル層上に形成された電子供給層と、前記電子供給層とショットキー接続するゲート電極と、前記電子供給層とオーミック接続するソース電極およびドレイン電極とを含み、前記ゲート電極は、平面において第1方向および前記第1方向と交差する第2方向に沿って延在していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (2件)：

H01L29/80 L , H01L29/80 H

Fターム (20件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GK06 , 5F102GK08 , 5F102GL05 , 5F102GL08 , 5F102GM05 , 5F102GM06 , 5F102GM08 , 5F102GQ03 , 5F102GR01 , 5F102GS09 , 5F102GT03 , 5F102GV03 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F102HC30

引用特許：

出願人引用 (2件)

電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-145212 出願人：日本電気株式会社
高周波用電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-095251 出願人：関西日本電気株式会社

審査官引用 (10件)

電界効果型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-241785 出願人：サンケン電気株式会社
特開昭60-149174
特開平4-094137

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