特許
J-GLOBAL ID：200903063045074746

GaAsウエハの研磨方法と研磨装置

発明者：
大槻 誠

大槻 誠 について

, 
目崎 義雄

目崎 義雄 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-045582
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243343
出願日： 2002年02月22日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】 GaAsウエハの研磨において、ウエハ面上にスクラッチを発生させることなく研磨布寿命を長くする研磨方法及び研磨装置を提供すること。【解決手段】 GaAsウエハ研磨布として、開口部密度が40%〜60%であり、加工時密度比が61%〜80%である研磨布を用い、研磨プレートにアズカットGaAsウエハを取り付け研磨定盤の研磨布に押し付け、研磨液を供給しながら研磨プレートと研磨定盤を回転させてGaAsウエハを研磨し、さらに研磨定盤の回転、研磨プレートの回転を維持したまま研磨プレートを研磨定盤からすばやく離隔し、その離反速度を15mm/s以上とする。
請求項（抜粋）：
表面に想定された線分が切る空孔の幅を直径とする円とみなして空孔面積を決め、線分に沿う部分での非空孔面積をその幅の面積で割った値として定義される開口部密度qと、無負荷での研磨布厚みT0で荷重時での研磨布厚みTwを割った値として定義される加工時密度比sを用いて、開口部密度が40%〜60%で加工時密度比が61%〜80%である研磨布(パッド)を張り付けた研磨定盤を用い、GaAsウエハを研磨プレートによって保持して研磨定盤の研磨パッドに押し付け、研磨用薬液を研磨パッド面に供給しながら、研磨プレートと研磨定盤を回転させてGaAsウエハの表面を研磨加工し、加工終了時に研磨定盤と研磨プレートの回転運動を維持したままウエハを研磨パッド面から15mm/s以上の速度で離反させる事を特徴とするGaAsウエハの研磨方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  B24B 37/04
FI (7件)：
H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 R ,  H01L 21/304 622 W ,  B24B 37/00 C ,  B24B 37/04 G ,  B24B 37/04 H ,  B24B 37/04 J
Fターム (7件)：
3C058AA07 ,  3C058AB04 ,  3C058AB06 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (3件)

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