特許
J-GLOBAL ID：200903063048776938

半導体装置

発明者：
藤井 修

藤井 修 について

, 
佐貫 朋也

佐貫 朋也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-316419
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128477
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：
【課題】 キャリア移動度を向上させるMOSトランジスタを提供する。【解決手段】 半導体装置は、半導体基板13と、前記半導体基板に形成され、活性領域11、12を分離するトレンチ14の内壁に形成された絶縁膜15と、前記絶縁膜上に形成されたシリコン窒化膜16と、前記トレンチ内に埋設されたシリコン酸化膜18とを具備し、前記シリコン窒化膜16の少なくとも一部分は結晶構造が破壊されて応力制御している。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板に形成され、活性領域を分離するトレンチの内壁に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成されたシリコン窒化膜と、 前記トレンチ内に埋設されたシリコン酸化膜とを具備し、 前記シリコン窒化膜の少なくとも一部分は結晶構造が破壊されて応力制御していることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/76 ,  H01L 27/08 ,  H01L 29/78 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/823
FI (4件)：
H01L21/76 L ,  H01L27/08 331A ,  H01L29/78 301R ,  H01L27/08 321C
Fターム (35件)：
5F032AA34 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032BA01 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA02 ,  5F032DA04 ,  5F032DA60 ,  5F032DA78 ,  5F048AA04 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BD00 ,  5F048BG13 ,  5F048BG14 ,  5F048DA23 ,  5F140AA01 ,  5F140AA08 ,  5F140AB03 ,  5F140AC30 ,  5F140BA01 ,  5F140BB01 ,  5F140BG08 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CB10 ,  5F140CD06 ,  5F140CE05 ,  5F140DB04 ,  5F140DB06 ,  5F140DB08
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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