特許
J-GLOBAL ID：200903063086037855

半導体装置及びその製造方法

発明者：
鈴村 功

鈴村 功 について

, 
小田 克矢

小田 克矢 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (3件)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-004744
公開番号（公開出願番号）：特開2006-196564
出願日： 2005年01月12日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】 本願発明は、半導体多層膜を構成する各層の界面において、酸素と炭素濃度を低減した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 第1の成長室内で単結晶基板上に第1の半導体層を形成し、第1の成長室から搬送室を介して第2の成長室に基板を搬送し、第2の成長室内で前記第1の半導体層の上に第2の半導体層を形成する。基板搬送を行うときに、第1の半導体層の表面原子数よりも第1の半導体層の表面原子と結合している水素の原子数の方が少ないときは水素を供給し、第1の半導体層の表面原子数よりも第1の半導体層の表面原子と結合している水素の原子数の方が多いときは水素の供給を停止する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
単結晶基板上に第1の成長室で第1の半導体層を形成する第1の工程と、前記第1の工程の後に第1の成長室から搬送室を介して、第2の半導体層を成長させる為の成長室に基板の搬送を行う第2の工程と、前記第2の工程後に前記第1の半導体層の上に前記第2の半導体層を成長させる為の成長室で第2の半導体層を形成する第3の工程とを少なくとも有し、且つ、前記第2の工程において、前記第1の半導体層表面の水素原子による終端構造に変化を生ずる基板温度に基づき、当該基板温度より高い場合は水素を供給し、一方、当該基板温度より低い場合は水素の供給を停止して超高真空状態を確保することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/205
FI (1件)：
H01L21/205
Fターム (14件)：
5F045AA06 ,  5F045AA07 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045CA02 ,  5F045DQ17 ,  5F045EE14
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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