特許
J-GLOBAL ID：200903063139679609
単結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
森 道雄
, 松永 英幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-182309
公開番号（公開出願番号）：特開2009-256206
出願日： 2009年08月05日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】鞍型コイルを用いたHMCZ法において問題となる引上げ中の結晶径の急増現象を阻止して、安定な結晶引上げを可能にする。坩堝回転数を上げずに酸素濃度を上昇させることにより、MCZ法において坩堝回転数を上げたときに問題となる酸素濃度の面内分布の悪化を回避する。【解決手段】チャンバ7内の坩堝1に収容された原料融液13に水平磁場を印加するために、坩堝1を挟んで対向配置されたコイル30a,30bを、チャンバの外形に沿って湾曲した鞍型コイルとする。コイル30a,30bの中心線C-Cの坩堝1内の原料融液13の表面からの位置を、予め測定した結晶径の急増が発生しない位置に設定するとともに、結晶成長の後半においてより深い位置とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
坩堝を挟んで対向配置されたコイルにより、チャンバ内の坩堝に収容された原料融液に水平磁場を印加しつつ、前記原料融液から単結晶を引上げる単結晶成長方法において、前記コイルの形状を、前記チャンバの外形に沿って湾曲した鞍型形状とし、前記コイルの中心線の前記坩堝内の原料融液の表面からの位置を、予め測定した結晶径の急増が発生しない位置に設定するとともに、結晶成長の後半においてより深い位置とすることを特徴とする単結晶成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B29/06 502G
, C30B15/00 Z
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH04
, 4G077EJ02
, 4G077HA12
, 4G077PA06
, 4G077PF42
, 4G077RA03
出願人引用 (3件)
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単結晶成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-353602
出願人：三菱住友シリコン株式会社
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単結晶成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-361075
出願人：三菱住友シリコン株式会社
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単結晶成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-361235
出願人：三菱住友シリコン株式会社
審査官引用 (3件)
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単結晶成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-353602
出願人：三菱住友シリコン株式会社
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単結晶成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-361075
出願人：三菱住友シリコン株式会社
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単結晶成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-361235
出願人：三菱住友シリコン株式会社
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