半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-199654
公開番号（公開出願番号）：特開2003-016783
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】ビット線の振幅がリカバリーされるまでの時間的余裕が厳しくなる事情を緩和し、更なる動作の高速化が可能な半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】ビット線対BLt/BLcが複数配置されたメモリセルアレイ100と、ビット線対BLt/BLc各々に設けられたセンスアンプ3と、ビット線対BLt/BLc各々に設けられ、メモリセルアレイ100のカラムを選択するカラムゲート5と、メモリセルに書き込む書き込みデータを保持する書き込みバッファ回路7とを具備する。そして、書き込みカラムの選択をセンスアンプ3が非活性状態のときに行い、書き込みデータを選択されたカラムに属するビット線対BLt/BLcに、センスアンプ3が非活性状態のときに書き込む。

請求項（抜粋）：

メモリセルが接続された第1、第2のビット線から構成されるビット線対が複数配置されたメモリセルアレイと、前記複数のビット線対各々に設けられたセンスアンプと、前記複数のビット線対各々に設けられ、前記メモリセルアレイのカラムを選択するカラムゲートと、前記メモリセルに書き込む書き込みデータを保持する書き込みバッファ回路とを具備し、書き込みカラムの選択を前記センスアンプが非活性状態のときに行い、前記書き込みデータを前記選択されたカラムに属する前記ビット線対に、前記センスアンプが非活性状態のときに書き込むことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/407 , G11C 11/409

FI (5件)：

G11C 11/34 354 D , G11C 11/34 354 H , G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 353 F , G11C 11/34 353 E

Fターム (20件)：

5M024AA44 , 5M024BB09 , 5M024BB15 , 5M024BB20 , 5M024BB27 , 5M024BB36 , 5M024CC62 , 5M024CC65 , 5M024CC82 , 5M024CC90 , 5M024CC92 , 5M024DD28 , 5M024DD30 , 5M024DD90 , 5M024FF02 , 5M024HH01 , 5M024HH11 , 5M024PP01 , 5M024PP03 , 5M024PP07

引用特許：

審査官引用 (6件)

メモリ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-138726 出願人：ソニー株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-338031 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-288754 出願人：富士通株式会社

全件表示

前のページに戻る