特許
J-GLOBAL ID：200903063166561954

半導体装置の製造方法

発明者：
寿崎 健一

寿崎 健一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271249
公開番号（公開出願番号）：特開2001-098378
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：
【要約】【課題】 休止時間を短縮しつつパーティクルの発生を防止する。【解決手段】 ウエハが搬入されるインナチューブとインナチューブを取り囲んだアウタチューブを有するCVD装置が使用されて成膜される成膜工程において、インナチューブの累積膜厚の設定値に達すると、インナチューブだけを交換する第一回目のパート交換ステップ41が実施され、続いて、パート交換後成膜ステップ30が実施される。再び累積膜厚の設定値に達すると、第二回目のパート交換ステップ42が実施され成膜ステップ30が実施される。その後、アウタチューブの累積膜厚の設定値に達すると、インナチューブとアウタチューブとを交換するフル交換ステップ50が実施され、成膜ステップ30が実施される。【効果】 最大の発塵源のインナチューブを清浄にできるため、パーティクル発生を防止でき、フル交換の頻度を減らすことで休止時間を短縮できる。
請求項（抜粋）：
基板が搬入されるインナチューブとこのインナチューブを取り囲んだアウタチューブとを有する基板処理装置が使用されて前記基板に処理が施される処理工程を備えている半導体装置の製造方法において、前記インナチューブの交換の頻度が前記アウタチューブの交換の頻度よりも高く設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511
FI (3件)：
C23C 16/44 J ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 H
Fターム (22件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030JA01 ,  4K030KA04 ,  4K030KA09 ,  4K030LA15 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AE21 ,  5F045BB08 ,  5F045BB10 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045EB06 ,  5F045EC02 ,  5F045EC05 ,  5F045GB16
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
  • 縦型熱処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-117688   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
  • 特開平2-138473
  • 半導体製造装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-200871   出願人：日本鋼管株式会社
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