半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-200871
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050683
出願日： 1996年07月31日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】被処理体に対する処理のスループットが高い半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体製造装置10は、同心円状に配置されたインナーチューブ11およびアウターチューブ12からなるプロセスチューブ13を具備する。アウターチューブ12の外側には、アウターチューブ12を取り囲むようにヒータ14が設けられている。インナーチューブ11およびアウターチューブ12の開放下端部の下方には、ボート支持台15が昇降自在に設けられている。ボート支持台15の略中央には、ウエハボート18が載置されている。インナーチューブ11はシリコンカーバイトで構成されている。

請求項（抜粋）：

アウターチューブと、前記アウターチューブの内部に配置されたインナーチューブと、前記インナーチューブ内に配置される被処理体を支持する支持部材と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、前記アウターチューブ内を加熱する加熱手段とを具備する半導体製造装置であって、前記インナーチューブの少なくとも表面がシリコンカーバイトで構成されていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/44 J , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (8件)

縦型熱処理炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-243413 出願人：日本電気株式会社
熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-072628 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
特開平2-284417

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