窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタ

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：小林茂 , 和泉良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-074125
公開番号（公開出願番号）：特開2007-250950
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】膜厚の小さい障壁層を用いながらも、高いチャネル電子濃度を得ることを可能とする、窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタを実現すること。【解決手段】チャネル層(GaN層)4上に、順次、基本障壁層(AlXGa1-XN層)3、上層障壁層(AlYGa1-YN層)2、絶縁膜1が積層されてなる構造に、ソース電極5、ゲート電極6ドレイン電極7が設けられている、窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、X<Yであり、ゲート電極6下の絶縁膜1の膜厚は、1nm以上10nm以下であり、上層障壁層(AlYGa1-YN層)2の厚さは1nm以上5nm以下であることを特徴とする、窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタを構成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極下に絶縁膜が存在し、前記絶縁膜下に窒化物半導体からなる上層障壁層が存在し、前記上層障壁層下に窒化物半導体からなる基本障壁層が存在し、前記基本障壁層下に窒化物半導体からなるチャネル層が存在し、前記ゲート電極下の前記絶縁膜の厚さは1nm以上10nm以下であり、前記上層障壁層は前記基本障壁層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する窒化物半導体からなり、前記上層障壁層の厚さは1nm以上5nm以下であることを特徴とする、窒化物半導体を用いたヘテロ構造電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338

FI (2件)：

H01L29/78 301B , H01L29/80 H

Fターム (23件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GV05 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F140AA05 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB06 , 5F140BB18 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140CC01 , 5F140CC02 , 5F140CC08

引用特許：

出願人引用 (4件)

半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-056788 出願人：ソニー株式会社
電界効果型化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-164908 出願人：富士通株式会社
化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-051927 出願人：信越半導体株式会社

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審査官引用 (3件)

化合物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-051927 出願人：信越半導体株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-056788 出願人：ソニー株式会社
電界効果型化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-164908 出願人：富士通株式会社

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