特許

J-GLOBAL ID：200903063181262831

誘電体磁器および積層型電子部品

発明者： 神垣 耕世
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-354335
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165259
出願日： 2004年12月07日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：

【課題】AC電界に対する室温及び100°C近傍の比誘電率の変化が小さく、DC電界印加による比誘電率の減少率の小さい誘電体磁器を提供する。【解決手段】誘電体セラミックスからなる誘電体磁器であって、前記誘電体セラミック結晶のc軸及びa軸の格子定数比c/aが1.004以上であり、比誘電率の最大温度が、0.15V/μm以下の測定交流電界において60〜125°C、且つ0.15V/μmより大きい測定交流電界において60°C未満であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

誘電体セラミックスからなる誘電体磁器であって、前記誘電体セラミック結晶のc軸及びa軸の格子定数比c/aが1.004以上であり、比誘電率の最大温度が、0.15V/μm以下の測定交流電界において60〜125°C、且つ0.15V/μmより大きい測定交流電界において60°C未満であることを特徴とする誘電体磁器。

IPC (4件)：

H01G 4/12 ,  C04B 35/46 ,  H01B 3/12 ,  C04B 35/00

FI (4件)：

H01G4/12 358 ,  C04B35/46 D ,  H01B3/12 303 ,  C04B35/00 J

Fターム (42件)：

4G030AA07 ,  4G030AA10 ,  4G030AA11 ,  4G030AA12 ,  4G030AA16 ,  4G030AA25 ,  4G030AA35 ,  4G030AA37 ,  4G030BA09 ,  4G030CA01 ,  4G031AA03 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA28 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031CA05 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH05 ,  5E001AH06 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ02 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303BA03 ,  5G303BA06 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB18 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CB43

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 誘電体磁器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-132851   出願人：太陽誘電株式会社
• Euro. Ceram. 2, vol.3, pp.1909-13 (1991)
  

審査官引用 (2件)

• 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-236736   出願人：株式会社村田製作所
• 積層セラミックコンデンサ及びその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-262470   出願人：京セラ株式会社