レーザー装置及びレーザー光を用いた熱処理方法並びに半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338799
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156017
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：

【要約】【課題】基板の大型化に対応したレーザー光を用いた半導体膜の熱処理の方法及びそれを行うための装置及びレーザー光を用いた半導体膜の熱処理の方法及びそのレーザー装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のレーザー光を用いた半導体膜の熱処理方法は、光学系にて形成された第1の長さの線状レーザー光をスリット800で第2の長さの線状レーザー光に変換して基板801に照射する。スリットはベース804と可動板805が一体となつて構成されるものであり、可動板805によって線状レーザー光の長手方向の長さを規定する。可動板805はベース804に固定されていても良いが、ベース804上で可変させる機能を付加すると、可変範囲内において任意の長さに線状レーザー光の長手方向の長さを変化させることにより大型基板の熱処理に対応できる。

請求項（抜粋）：

レーザー発振器と、前記レーザー発振器から放射されるレーザー光を第1の長さの線状レーザー光に形成する少なくとも一つのレンズと、前記第1の長さの線状レーザー光の長手方向をの長さを変化させ第2の長さの線状レーザー光を形成するスリットと、前記第2の長さの線状レーザー光を被処理体に照射する処理室とを有することを特徴とするレーザー装置。

IPC (7件)：

H01L 21/268 , G02F 1/37 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01S 3/00 , H01S 3/109

FI (7件)：

H01L 21/268 J , G02F 1/37 , H01L 21/20 , H01S 3/00 B , H01S 3/109 , H01L 29/78 627 F , H01L 29/78 627 G

Fターム (66件)：

2K002AA07 , 2K002AB12 , 2K002GA10 , 2K002HA20 , 2K002HA32 , 5F052AA02 , 5F052BA07 , 5F052BA12 , 5F052BA14 , 5F052BA18 , 5F052BB02 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052GC10 , 5F052JA01 , 5F072AB02 , 5F072AB20 , 5F072KK12 , 5F072KK30 , 5F072MM08 , 5F072MM09 , 5F072MM17 , 5F072PP01 , 5F072PP07 , 5F072QQ02 , 5F072RR01 , 5F072RR05 , 5F072SS06 , 5F072YY08 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110HJ18 , 5F110HJ23 , 5F110HK39 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HL23 , 5F110HL27 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN35 , 5F110PP03 , 5F110PP06 , 5F110PP07 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09 , 5F110QQ21

引用特許：

審査官引用 (5件)

レーザー光照射装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-076813 出願人：三洋電機株式会社
レ-ザ光の伝送装置およびこの伝送装置を用いた色素レ-ザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-303007 出願人：株式会社東芝
光ファイバ及び光ファイバ端面のコーティング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-310360 出願人：松下電工株式会社

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