特許

J-GLOBAL ID：200903063206633325

放射放出素子

発明者： フランツ エーバーハルト ,  シュテファン グレッチュ ,  ノルベルト リンダー ,  ユルゲン モースブルガー ,  クラウス シュトロイベル ,  ラルフ ヴィルト ,  マティアス ザバティール ,  ユリウス ムシャヴェック ,  クリスター ベルゲネク
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (8件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  杉本 博司 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-209632
公開番号（公開出願番号）：特開2008-047906
出願日： 2007年08月10日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

【課題】本発明の課題は、所望の空間的方向、所望の偏光方向または所望の波長で、比較的高い輝度を実現する放射放出素子を提供することである。【解決手段】本発明による放射放出素子は、 半導体材料をベースとし、電磁放射を生成するための活性層列を有する層スタックと、放射方向で見て該活性層列に後置されているフィルタエレメントとを有し、該フィルタエレメントは、第1の放射成分を放出し、第2の放射成分を層スタック内へ反射するためのエレメントであり、該第2の放射成分は該フィルタエレメントでの反射後、偏向プロセスまたは吸収放出プロセスを施され、偏向または放出された放射は、該フィルタエレメントに再び入射されるように構成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

放射放出素子(10)において、 半導体材料をベースとし、電磁放射を生成するための活性層列(4)を有する層スタック(1)と、 放射方向(A)で見て該活性層列(4)に後置されているフィルタエレメント(2) とを有し、 該フィルタエレメント(2)は、第1の放射成分を放出し、第2の放射成分を該層スタック(1)内へ反射するためのフィルタエレメントであり、 該第2の放射成分は該フィルタエレメント(2)での反射後、偏向プロセスまたは吸収放出プロセスを施され、 偏向または放出された放射は、該フィルタエレメント(2)に再び入射されるように構成されていることを特徴とする、放射放出素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 M

Fターム (5件)：

5F041AA06 ,  5F041CA12 ,  5F041CB22 ,  5F041EE22 ,  5F041FF11

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-374936   出願人：アーベル・システムズ株式会社
• 半導体発光素子および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-033925   出願人：シャープ株式会社
• 光源装置、投射型表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-304909   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 光取り出し効率が改善された発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-218433   出願人：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー
• 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-181677   出願人：日亜化学工業株式会社
• GaN系半導体発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-324858   出願人：三菱電線工業株式会社
• 炭化ケイ素発光ダイオード素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-094339   出願人：三洋電機株式会社