特許
J-GLOBAL ID：200903053083067855

半導体発光素子および製造方法

発明者：
齊藤 肇

齊藤 肇 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-033925
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247411
出願日： 2003年02月12日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：
【課題】高い生産性で、発光効率および信頼性に優れた半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板上に半導体成長層が形成された半導体発光素子において、該基板の側面は粗面状であり、該半導体成長層の側面は平坦な鏡面状であることを特徴とする半導体発光素子を提供する。半導体発光素子の側面が、平坦な鏡面および粗面の2領域を適所に有することにより、内部光の取り出しと戻り光の散乱反射を共に制御し、発光効率と信頼性に優れた半導体発光素子を実現する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に半導体成長層が形成された半導体発光素子において、該基板の側面は粗面状であり、該半導体成長層の側面は平坦な鏡面状であることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L33/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/347
FI (3件)：
H01L33/00 D ,  H01S5/22 ,  H01S5/347
Fターム (19件)：
5F041AA03 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA14 ,  5F041CA41 ,  5F041CA66 ,  5F041CA85 ,  5F041FF16 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA22 ,  5F073CB05 ,  5F073DA32 ,  5F073EA11 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (15件)
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