特許
J-GLOBAL ID:200903063250080775

複合回路部品およびこれを備える半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-081430
公開番号(公開出願番号):特開2007-258478
出願日: 2006年03月23日
公開日(公表日): 2007年10月04日
要約:
【課題】低誘電率層の低誘電率化および高誘電率層の高誘電率化を図ることができる、複合回路部品およびこれを備える半導体装置を提供すること【解決手段】複合回路基板2は、3〜100程度の低い誘電率を有する低誘電率層5と、1000〜5000程度の高い誘電率を有する高誘電率層6とを、樹脂層7を挟んで積層した構造を有している。低誘電率層5には、抵抗およびインダクタンスを含む配線8が作り込まれている。高誘電率層6には、複数のコンデンサ12と、各コンデンサ12と1対1に対応して、各コンデンサ12が接続されるグランド層13とが作り込まれている。樹脂層7には、低誘電率層5、高誘電率層6および樹脂層7の積層方向に貫通して、低誘電率層5の配線8と高誘電率層6のコンデンサ12とを電気的に接続するためのスルーホール15が形成されている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電子部品を配置するためのキャビティを有し、このキャビティに配置される電子部品と電気的に接続される配線を備える低誘電率層と、 前記低誘電率層とは独立して作成され、コンデンサを備える高誘電率層と、 前記低誘電率層および前記高誘電率層と機械的に接続され、前記配線と前記コンデンサとを電気的に接続するための接続部を有する樹脂層とを含むことを特徴とする、複合回路部品。
IPC (1件):
H01L 23/12
FI (2件):
H01L23/12 B ,  H01L23/12 E
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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