レーザ照射装置、レーザ照射方法及び半導体装置の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-336952
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191546
出願日： 2004年11月22日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】連続発振のレーザに比べてビームスポットの面積を飛躍的に広げ、なおかつガラス基板へ与える熱的なダメージを抑えることができ、なおかつ走査方向に向かって結晶を連続的に成長させ、該走査方向に沿って長く延びた単結晶からなる結晶粒の集まりを形成することができるレーザ照射装置を提供する。【解決手段】レーザ発振器101と、レーザ発振器からパルス発振されたレーザ光の波長を変換する非線形光学素子102と、波長が変換されたレーザ光を半導体膜106において集光させるための光学系とを有し、パルス発振の周波数は10MHz以上100GHz以下であることを特徴とするレーザ照射装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

レーザ光をパルス発振するレーザ発振器を有し、前記パルス発振の周波数は10MHz以上100GHz以下であることを特徴とするレーザ照射装置。

IPC (6件)：

H01L21/268 , G02F1/37 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01S3/109

FI (5件)：

H01L21/268 J , G02F1/37 , H01L21/20 , H01S3/109 , H01L29/78 627G

Fターム (76件)：

2K002AA04 , 2K002AB12 , 2K002BA02 , 2K002CA02 , 2K002CA04 , 2K002HA20 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052BA11 , 5F052BA13 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB05 , 5F052BB06 , 5F052BB07 , 5F052CA10 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB03 , 5F052EA12 , 5F052EA15 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG25 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110NN01 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP23 , 5F110PP24 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110QQ11 , 5F110QQ28 , 5F172AE09 , 5F172NR22 , 5F172ZZ02

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-226040
画像表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-215239 出願人：株式会社日立製作所
レーザアニール方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-147968 出願人：富士写真フイルム株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

「パルス変調CWレーザ結晶化(SELAX)法による高移動度低温ポリSi-TFT(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及

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