特許
J-GLOBAL ID：200903005533294984

レーザアニール方法及び装置

発明者：
戸井田 昌宏

戸井田 昌宏 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-147968
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349635
出願日： 2003年05月26日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】薄膜に対し、レーザエネルギーを無駄なく利用してレーザアニール処理をし、大結晶粒を形成可能とする。【解決手段】レーザ光源300から出射されたレーザビームを、アニールの基板150のa-Si層に透過させる光路上で折り返し照射することにより、a-Si層にレーザビームを複数回透過させる。よってレーザビームがa-Si層を透過する際にエネルギーが吸収される操作が複数回繰り返されるので、レーザビームの入力エネルギーを無駄なく利用可能である。さらに、a-Si層は、そのレーザビームを複数回透過された部分で、透過方向に生じるエネルギー吸収分布を一定にして固液界面を光路に沿った平坦なものとすることにより、a-Si層における横方向結晶成長を実現して大結晶粒の形成を可能とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
レーザ光源から出射されたレーザビームを、アニールの対象物内に透過させる光路上で折り返し照射することにより、前記対象物に前記レーザビームを複数回透過させて、前記対象物内の透過方向に生じるエネルギー吸収分布を一定に保つようにすることを特徴とするレーザアニール方法。
IPC (4件)：
H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (4件)：
H01L21/268 F ,  H01L21/268 J ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627G
Fターム (23件)：
5F052AA02 ,  5F052BA11 ,  5F052BA14 ,  5F052BB01 ,  5F052BB07 ,  5F052CA04 ,  5F052CA07 ,  5F052DA02 ,  5F052JA01 ,  5F110AA17 ,  5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP07 ,  5F110PP40
引用特許：
審査官引用 (4件)
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