画像表示装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小野寺洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-215239
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056058
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】マトリクス状に配置された画素部を駆動するための駆動回路に高速の移動度で動作する高性能の薄膜トランジスタ回路を有するアクティブ・マトリクス基板を備えた画像表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】画像表示装置を構成するアクティブ・マトリクス基板SUB1の画素領域PARの周辺に有する駆動回路領域DAR1に形成されているポリシリコン膜にパルス変調レーザ光あるいは擬似CWレーザ光を走査しながら照射して当該走査方向に連続した粒界を持つ如く改質された略帯状結晶シリコン膜の不連続改質領域を形成する。この不連続改質領域で形成した仮想タイルTLにチャネル方向が略帯状結晶シリコン膜の結晶成長方向となるように薄膜トランジスタ等のアクティブ素子を有する駆動回路を作り込む。【選択図】図23

請求項（抜粋）：

多数の画素をマトリクス状に形成した画素領域と、前記画素領域の外側で前記画素に駆動信号を供給するアクティブ回路を形成した駆動回路領域とを有するアクティブ・マトリクス基板を備えた画像表示装置の製造方法であって、前記アクティブ・マトリクス基板の前記画素領域および前記駆動回路領域にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜にエキシマレーザ光を照射して多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記駆動回路領域の多結晶シリコン膜にパルス幅および/またはパルス間隔が変調されたレーザ光を走査して選択的な照射を行い、当該走査方向に連続した粒界を持つ如く改質された略帯状結晶シリコン膜の不連続改質領域を形成する工程と、前記不連続改質領域の前記粒界方向にキャリア移動方向を有する如くアクティブ回路を形成する工程とを含むことを特徴とする画像表示装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L21/20 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786

FI (5件)：

H01L21/20 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L29/78 627G , H01L29/78 612B

Fターム (57件)：

2H092GA11 , 2H092GA12 , 2H092GA31 , 2H092GA60 , 2H092HA19 , 2H092JA00 , 2H092JA05 , 2H092JA06 , 2H092JA24 , 2H092JA27 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092MA30 , 5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB04 , 5F052BB07 , 5F052DA01 , 5F052DA02 , 5F052DB01 , 5F052DB07 , 5F052FA19 , 5F052FA21 , 5F052FA28 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA17 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG17 , 5F110GG44 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP24 , 5F110PP29

引用特許：

審査官引用 (12件)

半導体集積回路およびそれを用いた画像表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-346736 出願人：シャープ株式会社
半導体薄膜基板、半導体装置、半導体装置の製造方法および電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-307502 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-280261 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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引用文献：

審査官引用 (1件)

「高性能TFT対応低温poly-Si結晶化技術(SELAX法)I:プロセス」

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