特許

J-GLOBAL ID：200903063286264651

磁気抵抗効果素子およびその製造方法並びに磁気メモリ装置

発明者： 山元 哲也 ,  別所 和宏 ,  水口 徹也 ,  細見 政功 ,  大場 和博
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-358643
公開番号（公開出願番号）：特開2003-158312
出願日： 2001年11月26日
公開日（公表日）： 2003年05月30日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果型の記憶素子において、強磁性体層の構造不均一性を解消することで、構造の不均一に起因する保持力の増大を防ぎ、その記憶素子への書き込み電流を減少させる。【解決手段】 二つの強磁性体層24,26の間に非磁性体層25を挟んだ多層膜構造を有し、一方の強磁性体層24の磁化方向の変化を利用して情報記録を行う磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層24,26のうちの少なくとも一方を、例えばアモルファスに代表されるように、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造とする。

請求項（抜粋）：

二つの強磁性体層の間に非磁性体層を挟んだ多層膜構造の磁気抵抗効果素子において、前記強磁性体層のうちの少なくとも一方は、明瞭な結晶粒界のないシングルグレイン構造を有したものであることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

Fターム (4件)：

2G017AD55 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5F083FZ10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁性薄膜メモリ素子およびその製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-160892   出願人：キヤノン株式会社
• 磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-028924   出願人：大同特殊鋼株式会社
• 磁気素子とそれを用いた磁気メモリおよび磁気センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-187070   出願人：株式会社東芝