半導体装置とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-236762
公開番号（公開出願番号）：特開2004-079721
出願日： 2002年08月15日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】導電性接続部の応力を緩和するとともに、低弾性率絶縁層の熱応力を緩和する半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体チップ1と回路基板5の電極パッド2、6同士が、導電性接続部4により接続され、半導体チップ1と回路基板5の間に低弾性率絶縁層8が設置されている半導体装置において、導電性接続部4が外力に対して復元可能な弾性材料から構成されるとともに、複数の屈曲部または湾曲部を含む形状で形成され、低弾性率絶縁層8の物理的特性が半導体チップ1側と回路基板5側とで異なる構成とした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体チップと回路基板の電極パッド同士が、導電性接続部により接続され、前記半導体チップと前記回路基板の間に低弾性率絶縁層が設置されている半導体装置において、前記導電性接続部が外力に対して復元可能な弾性材料から構成されるとともに、複数の屈曲部または湾曲部を含む形状で形成され、前記低弾性率絶縁層の物理的特性が前記半導体チップ側と前記回路基板側とで異なることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/60 , H01L23/12

FI (2件)：

H01L21/60 311S , H01L23/12 501V

Fターム (3件)：

5F044KK01 , 5F044LL17 , 5F044QQ01

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-214119 出願人：新光電気工業株式会社
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-384618 出願人：日本電気株式会社
特開昭57-121255

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