特許

J-GLOBAL ID：200903063317139354

酸化物薄膜の製造方法および製造装置

発明者： 安田 哲二 ,  西澤 正泰 ,  山崎 聡
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-377102
公開番号（公開出願番号）：特開2003-176109
出願日： 2001年12月11日
公開日（公表日）： 2003年06月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ALD法の長所をそのまま活かしつつ、その短所である、生成した酸化物膜に不純物が残留しやすいという問題を解決する。【解決手投】 表面処理を施した基板を加熱し、その表面に、酸化物形成原料を基板に吸着または堆積させた後、酸化物形成を行い酸化物薄膜を製造する方法において、液体状の水を用いて酸化物薄膜を製造する。

請求項（抜粋）：

酸化物形成原料を基板に吸着または堆積させた後、酸化物形成反応により酸化物薄膜を製造する方法において、酸化物形成反応を液体状の水を用いて行うことを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

C01B 13/14 ,  C01B 13/32 ,  C01B 33/12 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

C01B 13/14 Z ,  C01B 13/32 ,  C01B 33/12 Z ,  H01L 21/316 B ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (30件)：

4G042DA01 ,  4G042DB04 ,  4G042DB11 ,  4G042DD02 ,  4G042DE04 ,  4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH08 ,  4G072JJ11 ,  4G072MM01 ,  4G072RR01 ,  4G072RR12 ,  5F058BA06 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BE10 ,  5F058BF69 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BD06 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE01 ,  5F140BE03 ,  5F140BE09 ,  5F140BE13

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 金属酸化物含有皮膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-159279   出願人：コニカ株式会社
• 金属酸化物薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-051604   出願人：株式会社トクヤマ
• 特公昭41-003608
  
• 集積回路誘電体の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-301396   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• シリカ膜の製造装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-176899   出願人：三星電子株式会社
• 特公昭43-004651
  
• 特公昭41-003608
  
• 特公昭43-004651