特許
J-GLOBAL ID：200903063340298877
マルチデ-タ貯蔵用メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-176703
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030466
出願日： 1999年06月23日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、回路具現を簡単にして1セルに複数データ貯蔵が可能となるようにしたマルチデータ貯蔵用メモリを提供するためのものである。【解決手段】 このため本発明は、n個のデータ入力バッファからのデータを組合わせて現在入力された複数のデータレベルを検出する入力値レベル検出手段と、2n個の相互差等的な基準電圧を提供され、前記入力値レベル検出手段から出力される信号に該当する基準電圧をワードライン電圧で選択するワードラインスイッチ手段及び、前記ワードラインスイッチ手段から提供されるワードライン電圧でワードラインを駆動し、単一のセルに複数個のデータ情報が貯蔵されるようにするワードラインドライバを備えることにより、1セルに複数のデータを貯蔵することが非常に簡単な回路構成により行われることになり、複数個のデータをライトするための追加的な入出力ラインが不要になり、ライト時に入出力ラインに生じるノイズに因りデータ誤謬を防止することになる。
請求項（抜粋）：
n個のデータ入力バッファからのデータを組合せ、現在入力された複数個のデータレベルを検出する入力値レベル検出手段と、相互差等的な2n個の基準電圧を提供され、前記入力値レベル検出手段から出力される信号に該当する基準電圧を、ワードライン電圧で選択するワードラインスイッチ手段及び、前記ワードラインスイッチ手段から提供されるワードライン電圧でワードラインを駆動し、単一のセルに複数個のデータを貯蔵させるワードラインドライバを備えたことを特徴とするマルチデータ貯蔵用メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 381 D
, G11C 11/34 354 D
審査官引用 (9件)
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特開平1-192086
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特開平1-192086
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駆動回路及び半導体集積回路
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-301745
出願人：株式会社東芝
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