欠陥性表面応力の緩和方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361747
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164301
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】半導体基板上に新たな熱歪みや欠陥を発生させることなく半導体基板中の欠陥性表面応力を緩和し、結晶欠陥の低減を実現する欠陥性表面応力の緩和方法を提供する。【解決手段】半導体デバイス製造工程において半導体デバイスに発生した欠陥性表面応力の緩和方法であって、プラズマを発生させ、半導体基板(2)に対して正の電圧を印加し、プラズマから電子(5)を選択的に照射する。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスに発生した欠陥性表面応力の緩和方法であって、プラズマを発生させ、半導体基板に対して正の電圧を印加し、プラズマから電子を選択的に照射することを特徴とする欠陥性表面応力の緩和方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

電子ビームアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-310209 出願人：株式会社日立製作所
特開昭56-024954
特開昭56-153655

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