特許
J-GLOBAL ID：200903013910278819

表面欠陥検出方法およびその装置

発明者：
中村 明子

中村 明子 について

, 
北島 正弘

北島 正弘 について

, 
成島 哲也

成島 哲也 について


出願人/特許権者：
独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-385305
公開番号（公開出願番号）：特開2002-286436
出願日： 2001年11月13日
公開日（公表日）： 2002年10月03日
要約：
【要約】【課題】 半導体デバイスの製造プロセス等において試料の表面および界面に発生する原子サイズの欠陥を実時間で、且つ高精度で定量測定することのできる、新しい表面欠陥検出方法およびその装置を提供する。【解決手段】 試料の表面あるいは界面に生じる欠陥を検出する方法であって、試料と同じ材料のセンサー試料(3)をプロセスチェンバー(8)内に設置し、センサー試料(3)の表面に粒子(7)を照射するとともに、その裏面にはレーザー光を照射し、当該センサー試料(3)の裏面にて反射するレーザー光の反射位置を検出して、粒子照射により生じるセンサー試料(3)の歪みに従ったレーザー光の反射位置の変位を測定する。
請求項（抜粋）：
試料の表面あるいは界面に生じる欠陥を検出する方法であって、試料と同じ材料のセンサー試料をプロセスチェンバー内に設置し、センサー試料の表面に粒子を照射するとともに、その裏面にはレーザー光を照射し、当該センサー試料の裏面にて反射するレーザー光の反射位置を検出して、粒子照射により生じるセンサー試料の歪みに従ったレーザー光の反射位置の変位を測定することを特徴とする表面欠陥検出方法。
IPC (4件)：
G01B 11/30 ,  G01B 11/16 ,  G01N 21/956 ,  H01L 21/66
FI (5件)：
G01B 11/30 A ,  G01B 11/30 H ,  G01B 11/16 Z ,  G01N 21/956 A ,  H01L 21/66 J
Fターム (24件)：
2F065AA49 ,  2F065AA61 ,  2F065AA65 ,  2F065BB01 ,  2F065CC17 ,  2F065FF44 ,  2F065FF63 ,  2F065GG04 ,  2F065HH04 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ05 ,  2F065JJ16 ,  2G051AA51 ,  2G051AB07 ,  2G051BA10 ,  2G051BC05 ,  2G051CA01 ,  2G051CB01 ,  2G051EA08 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA47 ,  4M106CB19 ,  4M106DB08
引用特許：
審査官引用 (5件)
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