特許
J-GLOBAL ID：200903063352884305

半導体装置およびその製造方法

発明者：
宇佐美 達矢

宇佐美 達矢 について

, 
竹脇 利至

竹脇 利至 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-061781
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260862
出願日： 1999年03月09日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 多層配線構造において、ボーダレス配線でスルーホールを開口する時、目ずれによる埋設不良が生じる。【解決手段】 第1の配線とその上部の第2の配線がビアホールを介して接続金属で接続されている半導体装置において、ビアホール直下の第1の配線部が全て除去され、その除去部とビアホール内が接続金属で構成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1の配線とその上部の第2の配線がビアホールを介して接続金属で接続されている半導体装置において、前記ビアホール直下の位置において前記第1の配線が全て除去され、その除去部と前記ビアホール内が前記接続金属で構成されていることを特徴とする半導体装置。
Fターム (28件)：
5F033HH08 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN16 ,  5F033PP15 ,  5F033PP18 ,  5F033PP21 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS19 ,  5F033XX05 ,  5F033XX15
引用特許：
審査官引用 (7件)
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