特許
J-GLOBAL ID：200903063373164329
半導体装置用パッケージの製造方法及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-296453
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118947
出願日： 1999年10月19日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 リードフレーム形状での組立による一括生産と、パッケージ支持体の厚銅をチップ封入用樹脂に対するダムに適用することで、組立工期の短縮とパッケージ製造費用の削減とによる低コスト化ができ、厚銅のグランドプレーンへの適用による配線パターンのマイクロストリップライン形成で、長い配線でのインダクタンス成分の低減と良好な電気特性とが得られて高速伝送性能が向上する、半導体装置用パッケージ製造方法及び半導体装置に関する技術を提供する点にある。【解決手段】 図1に示すように、本実施の形態1に係る半導体装置は、金属板24と低融点金属25と絶縁層26と埋込スルーホール17と半田ボール20と配線パターン22と金属バンプ23と封止樹脂19と絶縁体カバーレジスト21と半導体チップ18とで概略構成される。
請求項（抜粋）：
チップサイズパッケージタイプの半導体装置の製造方法であって、所定の値を超えた/以上の熱伝導率と導電率と厚さとを有する導電体層の表面に絶縁体からなる絶縁層を配置し、該絶縁層の表面に金属箔を配置して、前記導電体層と前記絶縁層と前記金属箔とからなる基板を形成し、該基板を略短冊状に切断し、前記基板の長手方向の側端部に沿って、所定の間隔で前記基板を表面から貫通するガイド孔を設け、前記金属箔の表面の所定の位置に前記絶縁層まで突当たるスルーホールを設け、該スルーホールによって露出した前記絶縁層を、前記スルーホールが前記導電体層に突当たるまで除去し、前記導電体層を電極として電解メッキを施し、前記スルーホールを金属で埋めることで、前記導電体層と前記金属箔との電気的な導通を保つ埋込スルーホールを形成し、前記ガイド孔に囲まれる前記基板の表面において、前記導電体層を、半導体装置用パッケージの平面輪郭に対応する1つ又は複数の溝パターンで除去して外形切断用溝パターンを設け、前記基板の表面における前記外形切断用溝パターンの内側で、搭載される半導体チップの底面に対する部分の前記導電体層を除去し、前記絶縁層が露出した半導体チップ搭載エリアを設け、前記半導体チップ搭載エリアにおいて、前記絶縁層の表面に露出した前記埋込スルーホールの端に、前記金属箔を電極として電解メッキを施すことで、金属バンプを形成し、前記金属箔から所定の配線パターンを形成し、前記半導体チップの電極と前記金属バンプとを導電性接着手段で電気的に接続し、前記半導体チップを前記半導体チップ搭載エリアの所定位置で固設処理をし、前記基板を、前記外形切断用溝パターンで金型切断を施して、前記ガイド孔の設けられている部分と前記半導体チップの搭載された部分とを切り離すことを特徴とする半導体装置用パッケージの製造方法。
引用特許：
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