特許

J-GLOBAL ID：200903063389310333

III-V族窒化物半導体層のエッチング方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 堀江 秀善
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (2件)： 伊藤 克博 ,  小野 暁子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-120428
公開番号（公開出願番号）：特開2007-324575
出願日： 2007年04月30日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】本発明は、III-V族窒化物半導体層の新規なエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】III-V族窒化物半導体層上に、エッチングマスクの少なくとも一部として、2価または3価の金属元素を含む金属フッ化物層を形成する工程と、この金属フッ化物層をウェットエッチングによりパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層をマスクとして、前記III-V族窒化物半導体層をドライエッチングする工程とを有することを特徴とするIII-V族窒化物半導体層のエッチング方法。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

III-V族窒化物半導体層上に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層を形成する工程と、 この金属フッ化物層をエッチングによりパターンニングする工程と、 パターニングされた金属フッ化物層をマスクとして、前記III-V族窒化物半導体層をエッチングする工程と を有することを特徴とするIII-V族窒化物半導体層のエッチング方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  C23C 14/06 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (5件)：

H01L21/302 105A ,  H01L21/306 D ,  C23C14/06 G ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

Fターム (32件)：

4K029AA07 ,  4K029AA24 ,  4K029BA42 ,  4K029BC01 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB05 ,  4K029DB18 ,  5F004AA04 ,  5F004DA04 ,  5F004DB19 ,  5F004EA03 ,  5F004EA10 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CB11 ,  5F043AA30 ,  5F043AA37 ,  5F043BB25 ,  5F043DD07 ,  5F043DD08 ,  5F043GG10 ,  5F173AH22 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP36 ,  5F173AP47

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 発光部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331083   出願人：三洋電機株式会社
• 集積型窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-203988   出願人：日亜化学工業株式会社
• 微細構造形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-093454   出願人：日本電気株式会社
• 半導体基板のエツチング方法及びこの方法により製造される半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-186559   出願人：株式会社東芝