特許
J-GLOBAL ID：200903063401465909

半導体装置

発明者：
長谷川 博美

長谷川 博美 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-115684
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314098
出願日： 2001年04月13日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】 オン抵抗が低く、逆方向特性の優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 n型シリコン領域3の表面に、円形の開口部を周期的に有するp型シリコン領域5を形成する。p型シリコン領域5により、n型シリコン領域3が複数の円柱形状の島状領域に分岐され、電流通路を形成する。表面に露出するp型シリコン領域5及びn型シリコン領域3A上にバリアメタル層7、表面電極層8が形成してSBD構造を形成する。このSBDにおいては、円柱形状のn型シリコン領域3内に空乏層aの先端面が、中心軸に向かって拡がり、効率よくピンチオフする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体領域と、前記第1半導体領域の表面に形成され、且つ前記第1半導体領域をその内部に島状に露出させるための複数の開口部を有する第2導電型の第2半導体領域と、前記複数の開口部に露出した前記第1半導体領域の表面に、前記第1半導体領域とショットキ接合をなすように形成されたショットキ電極層とを備えたことを特徴とする半導体装置。
Fターム (8件)：
4M104AA01 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104CC03 ,  4M104FF16 ,  4M104FF35
引用特許：
審査官引用 (9件)
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