半導体装置及びその製造方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-300902
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057301
出願日： 2004年10月15日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】nチャネル型電界効果トランジスタとpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ、pチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。【解決手段】nチャネル型電界効果トランジスタ10と、pチャネル型電界効果トランジスタ30とを有する半導体装置において、nチャネル型電界効果トランジスタ10のゲート電極15を覆う応力制御膜19には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。pチャネル型電界効果トランジスタ30のゲート電極35を覆う応力制御膜39には、膜応力が、nチャネル型トランジスタ10の膜19より、圧縮応力側の膜を用いることにより、nチャネル型、pチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された、nチャネル型電界効果トランジスタと、pチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、上記各トランジスタは、ゲート電極を内包し、ソース・ドレインの領域に隣接する位置まで伸びた絶縁膜を備え、上記絶縁膜は窒化珪素を主成分とし、上記nチャネル型電界効果トランジスタの上記絶縁膜の膜厚と上記pチャネル型電界効果トランジスタの上記絶縁膜の膜厚とは、相違することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/78

FI (3件)：

H01L27/08 321C , H01L27/08 321F , H01L29/78 301X

Fターム (61件)：

5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BC01 , 5F048BC06 , 5F048BC18 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG11 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F140AA05 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF33 , 5F140BF37 , 5F140BF59 , 5F140BF60 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG32 , 5F140BG37 , 5F140BG44 , 5F140BG58 , 5F140BH14 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ27 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC00 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC04 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CC12 , 5F140CC15

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-145533 出願人：ソニー株式会社
電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-013607 出願人：三菱電機株式会社

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