特許
J-GLOBAL ID：200903063560838953
シリコンウェーハおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-097665
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304095
出願日： 2003年04月01日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】均一なBMDと十分な厚さのCOP無欠陥層を持つアニールウェーハまたは欠陥の少ない表層のエピタキシャルウェーハとその製造方法の提供。【解決手段】窒素濃度が1×1014atoms/cm3未満で、COP欠陥の大きさは最頻値が0.1μm以下かつ0.2μmを超えるものがなく、酸素析出物(BMD)密度が1×104個/cm2以上でウェーハの径方向におけるBMD密度の最大値/最小値比が3以下であり、表面に厚さ5μm以上のCOP無欠陥層を有するシリコンアニールウェーハ、またはこの母材ウェーハ表面にエピタキシャル層を形成させたエピタキシャルウェーハ。および、育成時1370〜1310°Cの範囲では引き上げ軸方向の平均温度勾配の中心部と周辺部との比Gc/Geを1.0〜1.5とし、かつ温度が1200°Cから1000°Cまで冷却される時間を50分以下、さらに1030から920°Cまで冷却される時間を30分以下とする単結晶を用いるウェーハの製造方法。【選択図】なし。
請求項（抜粋）：
アニール処理により表面に無欠陥層を形成させたアニールウェーハであって、母材ウェーハは、窒素濃度が1×1014atoms/cm3未満の単結晶のCOP欠陥発生領域からなり、COP欠陥の大きさは最頻値が0.1μm以下でかつ0.2μmを超えるものがなく、酸素析出評価熱処理を施したときに形成される酸素析出物密度が1×104個/cm2以上、ウェーハ径方向におけるBMD(酸素析出物)の密度の最大値/最小値比が3以下で、表面にはCOP欠陥の存在しない無欠陥層が深さ5μm以上形成されていることを特徴とするシリコンアニールウェーハ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/322 Y
, C30B29/06 A
, C30B29/06 502H
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH05
, 4G077EH06
, 4G077HA12
, 4G077PF51
