特許
J-GLOBAL ID：200903063564473623

薄膜製造方法

発明者：
柳谷 隆彦

柳谷 隆彦 について

, 
木内 正人

木内 正人 について


出願人/特許権者：
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (1件)： 小林 良平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-096976
公開番号（公開出願番号）：特開2008-254948
出願日： 2007年04月03日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：
【課題】従来よりも高い精度でc軸が薄膜の面内の一方向に配向したウルツ鉱薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】イオンビームを、少なくともその一部が基板21の表面に対して10°以下の角度でその基板表面に入射するように照射しつつ、薄膜の原料を基板表面に堆積させる。その際、イオンビームのうち基板表面に入射しない一部のイオンビームを薄膜の原料から成るターゲット22に入射させることによりターゲット22をスパッタし、スパッタされた薄膜原料を基板21の表面に堆積させることもできる。このようなイオンビーム照射により、基板表面へのイオンビームの正射影に沿ってc軸が配向したに薄膜が形成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
ウルツ鉱型の結晶構造を有しc軸が面内の一方向に配向した薄膜を製造する方法において、 前記薄膜を基板表面に堆積させる際、イオンビームを、少なくとも該イオンビームの一部が該表面に対して10°以下の角度で該表面に入射するように照射することを特徴とする薄膜製造方法。
IPC (9件)：
C30B 29/16 ,  C30B 23/08 ,  C30B 29/38 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/48 ,  C23C 14/46 ,  C23C 14/06 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24
FI (9件)：
C30B29/16 ,  C30B23/08 Z ,  C30B29/38 C ,  C23C14/08 C ,  C23C14/48 D ,  C23C14/46 B ,  C23C14/06 A ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A
Fターム (26件)：
4G077AA03 ,  4G077AB02 ,  4G077AB08 ,  4G077BB07 ,  4G077BE13 ,  4G077DA13 ,  4G077HA04 ,  4G077HA11 ,  4G077SB03 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA49 ,  4K029BA58 ,  4K029BB08 ,  4K029BC00 ,  4K029CA08 ,  4K029CA09 ,  4K029DB05 ,  4K029DB18 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC37 ,  5J097AA28 ,  5J097EE08 ,  5J097FF02 ,  5J097HA03
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許第3561745号公報([0020]〜[0031], 図3)
  • 薄膜製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-269087   出願人：学校法人同志社
審査官引用 (1件)
  • 薄膜製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-269087   出願人：学校法人同志社
引用文献：
審査官引用 (1件)

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