特許
J-GLOBAL ID：200903063587777735
ナノデバイスの作製方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小池 晃
, 田村 榮一
, 伊賀 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-299234
公開番号（公開出願番号）：特開2004-130479
出願日： 2002年10月11日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：
【課題】半導体量子ドットに代表されるナノ微粒子のサイズをナノオーダで制御して基板上に堆積してナノデバイスを作製する。【解決手段】遮蔽する波長成分を、所望のナノ微粒子19のエネルギーギャップに合わせておくことにより、当該ナノ微粒子19のみを選択的に残存させ、他サイズのナノ微粒子19を全て蒸発させることができる点に着目し、ナノ微粒子19に吸収される波長領域を含む光を、当該吸収される少なくとも一の波長成分のみ遮蔽して、基板13上に堆積されたナノ微粒子19へ照射する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
ナノ微粒子を堆積させた基板を有するナノデバイスの作製方法において、
ナノ微粒子を上記基板上に堆積させ、
上記ナノ微粒子に吸収される波長領域を含む光を、当該吸収される少なくとも一の波長成分のみ遮蔽して、上記基板上に堆積されたナノ微粒子へ照射すること
を特徴とするナノデバイスの作製方法。
IPC (4件)：
B82B3/00
, H01L21/205
, H01L29/06
, H01S5/343
B82B3/00
, H01L21/205
, H01L29/06 601D
, H01S5/343
5F045AB14
, 5F045AB22
, 5F045AC07
, 5F073AA75
, 5F073CA02
, 5F073CA24
, 5F073CB02
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA06
, 5F073DA07
