特許

J-GLOBAL ID：200903063628294450

レジスト剥離方法及びレジスト剥離装置

発明者： 坂井 全弘 ,  和泉 亮 ,  松村 英樹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  北陸先端科学技術大学院大学長
代理人 (1件)： 大前 要
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-089429
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289586
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】レジストを剥離する工程を簡素化するレジスト剥離方法、また、レジストを剥離すると同時に下地層の清浄化を行うレジスト剥離方法、及び、これらの方法を実現するためのレジスト剥離装置を提供する。【解決手段】加熱された高融点触媒体と水素原子を有する分子を含む剥離ガスとの接触分解反応により原子状水素を生成し、生成した原子状水素とレジストとを接触させて、気相的にレジストを剥離する。

請求項（抜粋）：

基板上に下地層を介して形成されたレジストを気相的に剥離するレジスト剥離方法であって、水素原子を有する分子を含む剥離ガスと、加熱した高融点触媒体とを接触させる接触分解反応で原子状水素を生成し、生成した前記原子状水素と前記レジストとの接触により前記レジストをガス化して剥離することを特徴とするレジスト剥離方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 572 A

Fターム (9件)：

5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BB26 ,  5F004BB32 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA24 ,  5F004DB26 ,  5F046MA11

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-226722
  
• レジスト・アッシング方法およびこれに用いるアッシング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-313356   出願人：ソニー株式会社
• 処理装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-120208   出願人：キヤノン株式会社
• 気相加工方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-100805   出願人：ソニー株式会社