特許
J-GLOBAL ID：200903063750722358

CMOS論理プロセス内の不揮発性メモリ及びその動作方法

発明者：
ファン、ガンフェン

ファン、ガンフェン について

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シニトスキー、デニス

シニトスキー、デニス について

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レウン、ウインギュ

レウン、ウインギュ について


出願人/特許権者：
モシス・インコーポレイテッド

モシス・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-505462
公開番号（公開出願番号）：特表2009-538519
出願日： 2007年04月10日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：
【課題】 本発明は、如何なる処理ステップの変更もせずに従来の論理プロセスを用いて製作できる不揮発性メモリセルを提供する。【解決手段】 半導体基板上に製作された不揮発性メモリ(NVM)セルであって、浮遊ゲート電極(少なくとも部分的にNVMセルの全ての活性領域の上に延在する)を含むNVMセルを提供する。NVMセルは、第1のn型領域に位置するPMOSアクセストランジスタと、(第1のn型領域から分離されている)第2のn型領域に位置するPMOS制御キャパシタと、p型領域に位置するNMOSプログラミングトランジスタとを含む。浮遊ゲート電極は、PMOSアクセストランジスタ、PMOS制御キャパシタ及びNMOSプログラミングトランジスタの活性領域の上に延在する連続的な電極である。このNVMセルを用いてアレイをインプリメントするための種々のアレイ接続が提供される。PMOSアクセストランジスタ及びNMOSプログラミングトランジスタは、代替的な実施形態において、NMOSアクセストランジスタ及びPMOS消去トランジスタにそれぞれ置き換えられる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に製作された1若しくは複数の不揮発性メモリセルを含む不揮発性メモリシステムであって、各不揮発性メモリセルが、 浮遊ゲート電極と、 消去動作中に前記浮遊ゲート電極から負電荷を除去するように構成され、読み出し動作中に検知されることになる電流を供給するように更に構成されているような、第1のn型領域に位置するPMOSアクセストランジスタと、 前記第1のn型領域から分離されているような、第2のn型領域に位置するPMOS制御キャパシタと、 p型領域に位置するNMOSプログラミングトランジスタとを含み、 前記NMOSプログラミングトランジスタが、プログラム動作中に前記浮遊ゲート電極に負電荷を付加するように構成され、 前記浮遊ゲート電極が、前記PMOSアクセストランジスタ、前記PMOS制御キャパシタ及び前記NMOSプログラミングトランジスタの活性領域の上に延在することを特徴とする不揮発性メモリシステム。
IPC (6件)：
H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115 ,  H01L 27/10 ,  G11C 16/04
FI (5件)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434 ,  H01L27/10 461 ,  G11C17/00 621A ,  G11C17/00 625
Fターム (66件)：
5B125BA02 ,  5B125BA05 ,  5B125CA10 ,  5B125DA09 ,  5B125DB12 ,  5B125DC03 ,  5B125DC12 ,  5B125EA01 ,  5B125EB01 ,  5B125EB07 ,  5B125EB09 ,  5B125EJ02 ,  5B125EK01 ,  5B125FA06 ,  5F083EP02 ,  5F083EP13 ,  5F083EP32 ,  5F083EP50 ,  5F083EP63 ,  5F083EP68 ,  5F083ER03 ,  5F083ER09 ,  5F083ER11 ,  5F083ER14 ,  5F083ER19 ,  5F083ER21 ,  5F083ER30 ,  5F083GA27 ,  5F083GA30 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA01 ,  5F083NA01 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR46 ,  5F083PR47 ,  5F083PR48 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083PR56 ,  5F083ZA01 ,  5F083ZA12 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F083ZA15 ,  5F101BA02 ,  5F101BA23 ,  5F101BA35 ,  5F101BB15 ,  5F101BC02 ,  5F101BD07 ,  5F101BD20 ,  5F101BD22 ,  5F101BD24 ,  5F101BD27 ,  5F101BD32 ,  5F101BD33 ,  5F101BD35 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BG10 ,  5F101BH21
引用特許：
審査官引用 (4件)
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