不揮発性記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-175556
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353984
出願日： 2004年06月14日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】一層ゲート型の不揮発性記憶装置に関し、特に、書き込みや消去などの動作特性に優れた不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】本発明の不揮発性記憶装置は、分離絶縁層20により第1領域10A、第2領域10Bおよび第3領域10Cとが画定された第1の導電型の半導体層10と、前記第1領域10Aに設けられ、コントロールゲートの役割を果たす第2の導電型の半導体部12と、前記第2領域10Bに設けられた前記第1の導電型の半導体部10と、前記第3領域10Cに設けられた前記第2の導電型の半導体部14と、前記第1〜第3領域10A〜Cの半導体層10の上方に設けられた絶縁層30と、前記絶縁層30の上方に前記第1〜第3領域10A〜Cに亘って設けられたフローティングゲート電極32と、前記第1領域10Aにおいて、前記フローティングゲート電極32の側方に設けられた前記第1の導電型の不純物領域34など、を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

分離絶縁層により第1領域、第2領域および第3領域とが画定された第1の導電型の半導体層と、前記第1領域に設けられ、コントロールゲートの役割を果たす第2の導電型の半導体部と、前記第2領域に設けられた前記第1の導電型の半導体部と、前記第3領域に設けられた前記第2の導電型の半導体部と、前記第1〜第3領域の半導体層の上方に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上方に前記第1〜第3の領域に亘って設けられたフローティングゲート電極と、前記第1領域において、前記フローティングゲート電極の側方に設けられた前記第1の導電型の不純物領域と、前記第2領域において、前記フローティングゲート電極の側方に設けられ、ソース領域またはドレイン領域となる前記第2の導電型の不純物領域と、前記第3領域において、前記フローティングゲート電極の側方に設けられ、ソース領域またはドレイン領域となる前記第1の導電型の不純物領域と、を含む、不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (2件)：

H01L29/78 371 , H01L27/10 434

Fターム (18件)：

5F083EP02 , 5F083EP03 , 5F083EP13 , 5F083EP22 , 5F083ER02 , 5F083ER19 , 5F083NA01 , 5F101BA02 , 5F101BA12 , 5F101BB06 , 5F101BB17 , 5F101BC02 , 5F101BC11 , 5F101BD02 , 5F101BD24 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開昭63-166274号公報

審査官引用 (6件)

単一レベル・ゲート不揮発性メモリ素子およびそのアクセス方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-140509 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
特開平3-179780
EEPROMおよびかかるEEPROMを含む論理LSIチップ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-106635 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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