特許
J-GLOBAL ID：200903063863252013

半導体装置及びその製造方法

発明者：
尾田 秀一

尾田 秀一 について

, 
山下 朋弘

山下 朋弘 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-049771
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246540
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：
【要約】【課題】 高耐圧半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】 第1導電型の半導体基板1と金属配線9との接触面10の下に形成される第2導電型の高濃度の不純物領域11と、この高濃度の不純物領域11の周囲に形成される第2導電型の低濃度の不純物領域12と、これら不純物領域11、12を介して金属配線9に電気的に接続されるソース又はドレイン領域6を有する第2導電型のMOSFET13とを設ける。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の1主面上に形成され、上記半導体基板との接触面を有する金属配線と、上記接触面の下の上記半導体基板内部に形成される第2導電型の高濃度の不純物領域と、上記半導体基板内部の上記高濃度の不純物領域の周囲に形成される第2導電型の低濃度の不純物領域と、上記半導体基板の1主面に形成され、上記不純物領域を介して上記金属配線に電気的に接続されるソース又はドレイン領域を有する第2導電型のMOSFETとを備えた半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/28 V ,  H01L 21/90 C
引用特許：
審査官引用 (11件)
  • 特開平3-220774
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-283903   出願人：新日本製鐵株式会社
  • 特開平4-146668
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