電界効果トランジスタ、トランジスタアレイ基板、およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-268350
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094108
出願日： 1999年09月22日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】絶縁不良を起こしにくく信頼性の向上した電界効果トランジスタ、トランジスタアレイ基板、およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】絶縁性基板上に形成された非単結晶シリコン薄膜にレジストパターンをマスクとして不純物をイオン注入し、更に、同一のレジストパターンをマスクとして非単結晶シリコン薄膜をエッチングし、非単結晶シリコン薄膜の膜厚を低減する。そして、電界効果トランジスタ22の半導体層2は、ソース・ドレインを形成した高濃度ドーピングシリコン層2cを含み、コンデンサ24は、電界効果トランジスタに接続された電極を構成した高濃度ドーピングシリコン層4を有し、これらの高濃度ドーピングシリコン層は、同一の膜厚、不純物濃度を有している。また、電界効果トランジスタの半導体層において、高濃度不純物ドーピングシリコン層の膜厚は、チャネル部2aの膜厚よりも薄く形成されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上にシリコンを主成分とする半導体層が島状に分離形成されてチャネル部を形成した電界効果トランジスタと、上記絶縁基板上に設けられ上記電界効果トランジスタに接続されたコンデンサと、を備え、上記電界効果トランジスタの半導体層は、ソース・ドレインを形成したn型もしくはp型の高濃度ドーピングシリコン層を含み、上記コンデンサは、上記電界効果トランジスタに接続された電極を構成した高濃度ドーピングシリコン層を有し、上記コンデンサの高濃度ドーピングシリコン層は、上記電界効果トランジスタのn型もしくはp型の高濃度ドーピングシリコン層と同一の膜厚、不純物濃度を有していることを特徴とするトランジスタアレイ基板。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1365

FI (5件)：

H01L 29/78 612 D , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 A , H01L 29/78 618 C , H01L 29/78 627 C

Fターム (58件)：

2H092GA29 , 2H092JA24 , 2H092JA46 , 2H092JB58 , 2H092JB69 , 2H092KA10 , 2H092MA07 , 2H092MA08 , 2H092MA09 , 2H092MA15 , 2H092MA17 , 2H092MA19 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092NA19 , 2H092NA27 , 2H092NA28 , 2H092PA01 , 5F110AA17 , 5F110AA19 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG16 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG45 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP35 , 5F110QQ09 , 5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (5件)

集積回路およびアクティブマトリクス基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-182508 出願人：セイコーエプソン株式会社
液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-251917 出願人：株式会社東芝
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-246298 出願人：株式会社東芝

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