半導体記憶装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-256195
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095918
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】ON膜やONO膜等の多層絶縁膜を低温で高品質に形成し、信頼性の高い半導体記憶装置及び製造方法を提供する。【解決手段】シリコン領域101上に下部シリコン酸化膜102を形成した後、例えば熱CVD法により下部シリコン酸化膜102上にシリコン膜103を形成する。続いて、シリコン膜103をプラズマ窒化法により完全に窒化し、シリコン窒化膜104に置き換える。続いて、シリコン窒化膜104の表層をプラズマ酸化法により酸化し、当該表層を上部シリコン酸化膜105に置き換え、下部シリコン酸化膜102、シリコン窒化膜104、及び上部シリコン酸化膜105からなる多層絶縁膜であるONO膜111を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下部シリコン酸化膜を形成する工程と、前記下部シリコン酸化膜上にシリコン膜を形成する工程と、前記シリコン膜をプラズマ窒化法により完全に窒化し、前記下部シリコン酸化膜上にシリコン窒化膜を形成する工程とを含み、少なくとも前記下部シリコン酸化膜及び前記シリコン窒化膜を含む多層絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L21/8247 , H01L21/318 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (4件)：

H01L29/78 371 , H01L21/318 M , H01L27/10 481 , H01L27/10 434

Fターム (35件)：

5F058BA20 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BJ10 , 5F083EP18 , 5F083GA27 , 5F083JA04 , 5F083JA33 , 5F083JA35 , 5F083JA53 , 5F083NA01 , 5F083NA02 , 5F083PR15 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083ZA06 , 5F083ZA07 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BA45 , 5F101BA46 , 5F101BB05 , 5F101BD07 , 5F101BD10 , 5F101BD35 , 5F101BD36 , 5F101BD37 , 5F101BH04 , 5F101BH05 , 5F101BH21

引用特許：

審査官引用 (5件)

不揮発性半導体記憶装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-028925 出願人：株式会社日立製作所
シリコン絶縁膜の熱処理方法並びに半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-095831 出願人：ソニー株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-165733 出願人：株式会社日立製作所

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