シリコン絶縁膜の熱処理方法並びに半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-095831
公開番号（公開出願番号）：特開平11-297689
出願日： 1998年04月08日
公開日（公表日）： 1999年10月29日
要約：

【要約】【課題】既に形成されたシリコン絶縁膜の有する特性を変化させることなく、有機物の付着が無い状態を得ることを可能とするシリコン絶縁膜の熱処理方法を含む半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、(イ)シリコン絶縁膜12の膜厚が増加しない温度の酸化性雰囲気中でシリコン絶縁膜12に熱処理を施す工程と、(ロ)熱処理が施されたシリコン絶縁膜12上に薄層13を成膜する工程を含む。

請求項（抜粋）：

シリコン絶縁膜の膜厚が増加しない温度の酸化性雰囲気中で該シリコン絶縁膜に熱処理を施すことを特徴とするシリコン絶縁膜の熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 , H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/316 P , H01L 29/78 301 F

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-012107 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-183339 出願人：株式会社東芝
素子分離膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-105442 出願人：ソニー株式会社

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