特許
J-GLOBAL ID：200903063939359874
半導体ウェハのプロセスモニタリング装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-515284
公開番号（公開出願番号）：特表2001-519596
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：
【要約】ドームを備えたプロセスチャンバ、チャンバ上に配置されたエンクロージャー、ドーム付近に位置決めされたプロセスモニタリングアセンブリー、ドームに設けられた開口、開口を覆う窓から成る半導体ウェハ処理装置内で処理をin-situモニタリングするための装置である。チャンバ付近の強力なエネルギー源からの干渉と遭遇することなく、各震度測定を容易にするために、窓を介して、ドームの上から基板へと続くモニタリングビームの照準線伝播経路を画定するために、装置の1部がプロセスモニタリングアセンブリーを支持する。プロセスモニタリング装置の製造方法は、ドームに開口を開けるステップと、開口を通ってプロセスモニタリングアセンブリーからチャンバ内の基板への照準線を許容するために、プロセスモニタリングアセンブリーをドームの頂部に配置するステップと、開口を窓で覆うステップとから成る。窓は、装置で使用するプロセスモニタリングアセンブリーのタイプによって、恒久的、または取り外し可能に固定されている。
請求項（抜粋）：
開口を画定するドームを備えたプロセスチャンバと、 前記プロセスチャンバ上に配置されたエンクロージャーと、 前記ドームの付近に配置されたプロセスモニタリングアセンブリーと、 前記開口を覆う窓とを含み、光放射が前記開口を通って前記プロセスチャンバから前記プロセスモニタリングアセンブリーへ伝播することを特徴とする、半導体ウェハ処理装置内のin-situモニタリングプロセス装置。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01J 37/32
H01J 37/32
, H01L 21/302 B
5F004BA20
, 5F004BB04
, 5F004BB05
, 5F004BB13
, 5F004CB10
, 5F004EB04
, 5F004EB05
