特許

J-GLOBAL ID：200903063940520670

リソグラフィ特性向上

発明者： トッド デーヴィッド ハイアー ,  カッサンドラ メイ オーエン ,  トッド ジェイ. デーヴィス ,  セオドア アレン パクストン
出願人/特許権者： エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  吉田 裕 ,  森 徹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-141464
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332659
出願日： 2006年05月22日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】基板の特性均一性を改善するように構成された方法、コンピュータ・プログラム製品、および装置を提供すること。【解決手段】本発明の一実施例によれば、改善方法は、リソグラフィ露光装置によって処理される基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算するステップであって、この修正データが、基板を加熱または冷却するために使用されるサーマル・プレートの区域によって生成される温度を制御することによって、基板特性の値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されているステップと、修正データをサーマル・プレートが利用できるようにするステップとを含む。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板の特性均一性を改善する方法であって、 リソグラフィ露光装置によって処理される基板の特性の測定値に基づいて修正データを計算するステップであって、前記修正データが、前記基板を加熱または冷却するために使用されるサーマル・プレートの区域によって生成される温度を制御することによって、前記基板特性の値の不均一性を少なくとも部分的に修正するように構成されているステップと、 前記修正データを前記サーマル・プレートに利用可能にするステップと を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20

FI (3件)：

H01L21/30 516E ,  H01L21/30 566 ,  G03F7/20 521

Fターム (5件)：

5F046AA17 ,  5F046DA26 ,  5F046DA30 ,  5F046DB04 ,  5F046KA04

引用特許：

審査官引用 (4件)

• パターン形成方法および該パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-059399   出願人：株式会社東芝
• 加熱処理装置の温度校正方法、現像処理装置の調整方法、及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-188496   出願人：株式会社東芝
• 現像方法及び露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-229517   出願人：富士通株式会社
• パターン形成方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-023623   出願人：ソニー株式会社