特許
J-GLOBAL ID：200903063989846504

半導体装置の製造方法

発明者：
今井 敦志

今井 敦志 について

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山崎 信也

山崎 信也 について

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杉山 隆英

杉山 隆英 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について

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株式会社豊田中央研究所

株式会社豊田中央研究所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-268654
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099705
出願日： 2007年10月16日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：
【課題】注入した水素イオンの拡散を抑制しながら水素イオンを活性化することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置10の製造方法であって、注入工程S8と、表面加熱工程S10と、注入深さ加熱工程S12を有する。注入工程S8は、半導体基板12の表面12bに、その表面12bから離れた深さ50に到達するエネルギーで水素イオンを注入する。表面加熱工程S10は、注入工程S8後の前記深さ50の半導体基板12の温度を水素イオン外方拡散温度未満に維持しながら、半導体基板12の表面12bの温度が結晶欠陥消滅温度以上に昇温するまで半導体基板12の表面12bを加熱する。注入深さ加熱工程S12は、表面加熱工程S10後に、少なくとも前記深さ50の半導体基板12を、水素イオン活性化温度域内にあって水素イオン外方拡散温度以上の温度に到達するまで加熱する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造方法であって、 半導体基板の表面に、その表面から離れた深さに到達するエネルギーで、水素イオンを注入する注入工程と、 前記注入工程後の前記深さの前記半導体基板の温度を水素イオン外方拡散温度未満に維持しながら、前記半導体基板の前記表面の温度が結晶欠陥消滅温度以上に昇温するまで、前記半導体基板の前記表面を加熱する表面加熱工程と、 前記表面加熱工程後に、少なくとも前記深さの前記半導体基板を、水素イオン活性化温度域内にあって前記水素イオン外方拡散温度以上の温度に到達するまで加熱する注入深さ加熱工程、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/329 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739
FI (7件)：
H01L21/265 602A ,  H01L29/91 A ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658Z ,  H01L29/78 655B ,  H01L29/78 653A ,  H01L21/265 Z
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (5件)
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