特許
J-GLOBAL ID：200903068108437722

半導体素子の製造方法

発明者：
中澤 治雄

中澤 治雄 について

, 
根本 道生

根本 道生 について


出願人/特許権者：
富士電機デバイステクノロジー株式会社

富士電機デバイステクノロジー株式会社 について


代理人 (1件)： 酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-029258
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244446
出願日： 2008年02月08日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】デバイス不良の発生を防ぎ、良好なデバイス特性を有する半導体素子を製造すること。レーザー照射時の熱によるデバイスの破壊を防ぐこと。【解決手段】イオン注入工程では、シリコン半導体の製造プロセスにおいて一般的に用いられるリン(P)や砒素(As)などよりもシリコンに対する拡散係数が大きいリチウム(Li)や硫黄(S)やセレン(Se)や水素(H)をドーパントとして用いる。活性化工程では、イオン注入面に対して、固体レーザーまたはエキシマレーザーと、半導体レーザーを組み合わせて照射することにより、レーザーアニールを行う。半導体レーザーについては、活性化工程の間、ウエハー全面に対して連続的に照射する。固体レーザーまたはエキシマレーザーについては、パルス状に照射する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体中に拡散係数の大きなドーパントをイオン注入する工程と、 前記ドーパントが注入された不純物層を活性化する際に、複数のレーザー照射装置を用いて単一の不純物層、または同一導電型もしくは異なる導電型の複数の不純物層からなる連続層に、複数のパルス状のレーザーを照射して前記不純物層を活性化する工程と、 を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739
FI (6件)：
H01L21/265 602C ,  H01L21/265 F ,  H01L21/265 Z ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 655Z ,  H01L29/78 655A
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (10件)
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