半導体素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-036547
公開番号（公開出願番号）：特開2005-223301
出願日： 2004年02月13日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】半導体素子のpn連続層を短時間で安定して活性化する。【解決手段】レーザーを用いた不純物層の活性化に、例えば2台のレーザー照射装置を用いる。その場合、各レーザー照射装置から照射されるパルス波形が略矩形のパルス10a,10bを重ね合わせ、パルス10a,10bが連続した1パルス相当のパルス10を不純物層に照射する。このようにパルス10a,10bを連続して不純物層に照射することにより、半値幅の長い単パルスを不純物層に照射したのと同様の効果が得られ、不純物層の浅い領域から深い領域まで高活性化率を実現できる。これにより、不純物層としてpn連続層を有する半導体素子を安定的に短時間で活性化でき、デバイス特性の良好な半導体素子の製造が可能になる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

不純物が導入された不純物層をレーザーを用いて活性化する工程を有する半導体素子の製造方法において、前記不純物層を活性化する際に、パルスレーザーを照射する複数のレーザー照射装置を用いて前記不純物層に照射エリアごとに複数のパルスを連続的に照射して前記不純物層を活性化することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/265 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/78

FI (5件)：

H01L21/265 602C , H01L21/20 , H01L29/78 652G , H01L29/78 655C , H01L29/78 658A

Fターム (5件)：

5F052AA02 , 5F052AA17 , 5F052BB02 , 5F052DA02 , 5F052JA10

引用特許：

出願人引用 (14件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-241953 出願人：富士電機株式会社
レーザアニール方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-364988 出願人：三洋電機株式会社, 鳥取三洋電機株式会社
レーザアニール装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-305661 出願人：松下電器産業株式会社

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審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-241953 出願人：富士電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-024468 出願人：富士通株式会社
レーザ熱処理方法およびレーザ熱処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-221021 出願人：三菱電機株式会社, セイコーエプソン株式会社

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