液晶表示装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-363010
公開番号（公開出願番号）：特開2001-174849
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】アクティブ素子アレイ基板の層間絶縁膜下に形成された配線間を接続する接続配線の断線を抑制できる液晶表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】複数のアクティブ素子と、前記アクティブ素子と電気的に接続された複数の第1の配線2と、第1の配線2同士を電気的に接続する第2の配線9と、前記アクティブ素子、第1の配線2および第2の配線9の上方に形成された層間絶縁膜7と、層間絶縁膜7上に形成された複数の画素電極とを備え、層間絶縁膜7が第2の配線9の上方に開口部15を有し、第1の配線2と第2の配線9とが接続配線11並びにコンタクトホール7bおよび7cを介して電気的に接続された基板を作製し、前記基板において第2の配線9の一部を開口部15で切断し、第1の配線2同士を電気的に分離することによってアクティブ素子アレイ基板を得る。

請求項（抜粋）：

互いに対向する2つの基板間に液晶を封入してなる液晶表示装置であって、前記基板の一方が、複数のアクティブ素子と、前記アクティブ素子と電気的に接続された複数の第1の配線と、前記第1の配線同士を電気的に接続する第2の配線と、前記アクティブ素子、前記第1の配線および前記第2の配線の上方に形成された層間絶縁膜と、前記アクティブ素子の各々に対応させて前記層間絶縁膜上に形成された複数の画素電極とを備え、前記層間絶縁膜が、前記第1の配線および前記第2の配線の少なくとも一方の上方に開口部を有し、前記第1の配線と前記第2の配線とが、前記層間絶縁膜上に形成された接続配線および前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されている基板から、前記層間絶縁膜の開口部で前記第1の配線および前記第2の配線の少なくとも一方を切断し、前記第1の配線同士を電気的に分離することによって得られる基板であることを特徴とする液晶表示装置。

IPC (6件)：

G02F 1/1368 , G02F 1/1333 505 , G09F 9/30 330 , G09F 9/30 338 , H01L 21/768 , H01L 29/786

FI (7件)：

G02F 1/1333 505 , G09F 9/30 330 Z , G09F 9/30 338 , G02F 1/136 500 , H01L 21/90 B , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 624

Fターム (76件)：

2H090HA03 , 2H090HA06 , 2H090HB07X , 2H090LA04 , 2H092JA03 , 2H092JA24 , 2H092JA46 , 2H092JB56 , 2H092JB77 , 2H092KB04 , 2H092KB25 , 2H092MA47 , 2H092NA01 , 2H092NA07 , 2H092NA15 , 2H092NA23 , 2H092NA29 , 5C094AA09 , 5C094AA10 , 5C094AA32 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094AA48 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA12 , 5C094DA13 , 5C094DA15 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094EA03 , 5C094EA04 , 5C094EA10 , 5C094FA01 , 5C094FA02 , 5C094FB01 , 5C094FB02 , 5C094FB12 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5C094JA08 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033HH14 , 5F033HH38 , 5F033KK08 , 5F033KK18 , 5F033MM08 , 5F033PP15 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ53 , 5F033RR21 , 5F033RR27 , 5F033VV12 , 5F033VV15 , 5F033WW01 , 5F033XX36 , 5F033XX37 , 5F110AA24 , 5F110AA26 , 5F110CC07 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE15 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG45 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL12 , 5F110NN02 , 5F110NN27

引用特許：

出願人引用 (8件)

アクティブマトリクス基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-274449 出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
特開昭63-316084
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-273248 出願人：沖電気工業株式会社

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