特許
J-GLOBAL ID：200903040796442791

半導体ナノ結晶の製造方法およびその半導体ナノ結晶を用いた半導体記憶素子

発明者：
上田 徹

上田 徹 について

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福島 康守

福島 康守 について

, 
中村 健太

中村 健太 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (2件)： 青山 葆 ,  山崎 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-337469
公開番号（公開出願番号）：特開2004-048062
出願日： 2003年09月29日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】密度,大きさの制御性がよく、ばらつきの少ない半導体ナノ結晶の製造方法を提供すると共に、その半導体ナノ結晶を用いて、ナノ結晶とチャネル領域との間の絶縁膜の膜厚を容易に制御でき、しきい値や書き込み性能等の特性ばらつきが少なく、高速書き換えが可能な不揮発性を有する半導体記憶素子を提供する。【解決手段】シリコン基板1上に形成されたトンネル絶縁膜2上に大気圧以下の低圧下でアモルファスシリコン薄膜3を堆積する。上記アモルファスシリコン薄膜3を堆積した後、酸化性を有しないヘリウムガスの雰囲気中でアモルファスシリコン薄膜3の堆積温度以上の温度でアモルファスシリコン薄膜3に熱処理を施して、トンネル絶縁膜2上に直径18nm以下の球状の複数のナノ結晶4を互いに間隔をあけて形成する。上記複数のナノ結晶4を半導体記憶素子のフローティングゲートとして用いる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された絶縁膜上に大気圧以下の低圧下で非晶質半導体薄膜を堆積するステップと、 上記非晶質半導体薄膜を堆積した後、大気圧以下の低圧下で上記非晶質半導体薄膜の表面に結晶核を形成するステップと、 真空中または酸化性を有しないガスの雰囲気中で上記非晶質半導体薄膜の堆積温度以上の温度で上記非晶質半導体薄膜に熱処理を施して、上記結晶核を種にして上記絶縁膜上に直径18nm以下の球状の複数の半導体ナノ結晶を互いに間隔をあけて形成するステップと、 上記半導体ナノ結晶を形成した後、上記半導体ナノ結晶表面を酸化させて酸化膜を形成するステップとを有することを特徴とする半導体ナノ結晶の製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/8247 ,  H01L21/205 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (3件)：
H01L29/78 371 ,  H01L21/205 ,  H01L27/10 434
Fターム (35件)：
5F045AA20 ,  5F045AB04 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC17 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045BB12 ,  5F045CA05 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16 ,  5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083GA01 ,  5F083GA21 ,  5F083HA02 ,  5F083PR03 ,  5F083PR05 ,  5F083PR13 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F101BA43 ,  5F101BA44 ,  5F101BA54 ,  5F101BB02 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BF02 ,  5F101BH02 ,  5F101BH03 ,  5F101BH04 ,  5F101BH13 ,  5F101BH16 ,  5F101BH18
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 低電圧メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-031981   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
審査官引用 (7件)
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