特許
J-GLOBAL ID：200903084847538966

半導体装置およびその作製方法

発明者：
桑原 秀明

桑原 秀明 について

, 
田中 幸一郎

田中 幸一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-352046
公開番号（公開出願番号）：特開2003-152191
出願日： 2001年11月16日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置において、今後のさらなる高精細化(画素数の増大)及び小型化に伴う各表示画素ピッチの微細化を進められるように、複数の素子を限られた面積に形成し、素子が占める面積を縮小して集積することを課題とする。【解決手段】 本発明は、絶縁膜14を間に挟んで異なる層に複数の半導体層13、15を設け、レーザー光で結晶化した後、各半導体層(結晶構造を有する半導体層16、17)で逆スタガ構造のnチャネル型TFTとトップゲート構造のpチャネル型TFT30とをそれぞれ形成して集積し、CMOS回路規模を小さくする。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に、結晶構造を有する半導体膜からなる第1の半導体層を有する第1の素子と、前記第1の半導体層上に絶縁膜と、該絶縁膜上に結晶構造を有する半導体膜からなる第2の半導体層を有する第2の素子とを有し、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層の間には前記絶縁膜のみを有しており、前記第1の半導体層の一部は、前記絶縁膜を挟んで前記第2の半導体層の一部と重なっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (11件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 27/092 ,  H01S 3/00
FI (11件)：
G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/35 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/00 301 A ,  H01S 3/00 A ,  H01L 29/78 613 Z ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 27/08 321 G
Fターム (119件)：
2H092JA00 ,  2H092JA28 ,  2H092JA31 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JB41 ,  2H092JB44 ,  2H092JB56 ,  2H092KA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA30 ,  2H092NA27 ,  5C094AA05 ,  5C094AA15 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094JA11 ,  5F048AC04 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB09 ,  5F048BC11 ,  5F048BC18 ,  5F048BE08 ,  5F048BG07 ,  5F048CB10 ,  5F052AA02 ,  5F052AA24 ,  5F052BB02 ,  5F052BB04 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DB02 ,  5F052DB03 ,  5F052DB07 ,  5F052JA01 ,  5F072RR05 ,  5F072YY08 ,  5F110AA04 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF32 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG30 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN71 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP11 ,  5F110PP23 ,  5F110PP24 ,  5F110PP29 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ21 ,  5F110QQ28 ,  5G435AA01 ,  5G435AA18 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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