特許
J-GLOBAL ID：200903064030334268
不揮発性強誘電体メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-273575
公開番号（公開出願番号）：特開2001-118380
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：
【要約】【課題】 参照レベルを安定化させて速い応答速度が得られると同時に、ノイズの影響を受けずに参照レベルを維持することのできる不揮発性強誘電体メモリ装置を提供する。【解決手段】 参照ビットラインを複数のメインビットラインに平行に形成させ、参照ビットラインに読み出されたデータをそのままセンシングアンプ部に入力させずに、一旦参照レベル生成部へ入力させ、そこで増幅して各センシングアンプ部に入力させるようにした。また、それぞRねおビットラインのプリチャージレベルは、プリチャージレベル調整部からの第1プリチャージ制御信号と第2プリチャージ制御信号との組合により調整するようにした。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つの参照ビットラインとその参照ビットラインに平行に形成されている複数のメインビットラインと、各ビットラインと交差する方向に複数の第1、第2スプリットワードライン対が形成されているセルアレイ部;前記互いに平行に配置された参照ビットラインとメインビットラインのうち互いに隣接したビットラインを等電位化させる等化器部;前記各ビットラインのプリチャージレベルを第1プリチャージ制御信号と第2プリチャージ制御信号との組合により調整するプリチャージレベル調整部;前記メインビットラインの信号をセンシングするセンシングアンプ部;前記参照ビットラインの信号を受けて、前記センシングアンプへ参照電圧として出力する参照レベル発生部を含むことを特徴とする不揮発性強誘電体メモリ装置。
IPC (5件)：
G11C 11/22
, G11C 14/00
, H01L 27/105
, H01L 27/10 481
, H01L 27/10 491
G11C 11/22
, H01L 27/10 481
, H01L 27/10 491
, G11C 11/34 352 A
, H01L 27/10 444 B
, H01L 27/10 444 Z
