特許
J-GLOBAL ID：200903064081199977

酸化亜鉛単結晶、それより得られるエピタキシャル成長用基板およびそれらの製造方法

発明者：
松永 敬浩

松永 敬浩 について

, 
宍戸 統悦

宍戸 統悦 について

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中嶋 一雄

中嶋 一雄 について


出願人/特許権者：
東ソー株式会社

東ソー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-043360
公開番号（公開出願番号）：特開2006-225213
出願日： 2005年02月21日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成、すなわちストイキオメトリー組成であって電気比抵抗が極めて高い酸化亜鉛単結晶、この酸化亜鉛単結晶より得られるエピタキシャル成長用基板及びこれらの製造方法を提供する。【解決手段】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成であり、電気比抵抗が1×109Ω・cm以上である酸化亜鉛単結晶、それより得られるエピタキシャル成長用基板およびそれらの製造方法を用いる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成であり、電気比抵抗が1×109Ω・cm以上である酸化亜鉛単結晶。
IPC (3件)：
C30B 29/16 ,  C30B 7/10 ,  C30B 33/02
FI (3件)：
C30B29/16 ,  C30B7/10 ,  C30B33/02
Fターム (10件)：
4G077AA02 ,  4G077BB07 ,  4G077CB03 ,  4G077EC05 ,  4G077EJ09 ,  4G077FE03 ,  4G077HA12 ,  4G077KA06 ,  4G077KA09 ,  4G077KA15
引用特許：
審査官引用 (6件)
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